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双极性功率晶体管
标准功率晶体管
ON公司产品
双极性功率晶体管
IGBT
隔离门双极晶体管(IGBT)
ON公司产品
IGBT
其他产品
ON公司产品
IGBT驱动器
MOSFET
功率MOSFET
TI公司产品
ON公司产品
通用MOSFET
智能MOSFET
小信号MOSFET
ON公司产品
整流管
肖特基整流管
ON公司产品
肖特基整流器
单肖特基二极管
多肖特基二极管
肖特基二极管
快恢复整流管
ON公司产品
快恢复整流二极管
标准整流管
ON公司产品
整流二极管
小信号二极管
通用开关二极管
ON公司产品
调谐二极管
ON公司产品
小信号晶体管
通用晶体管
ON公司产品
高电流晶体管
ON公司产品
高电压晶体管
ON公司产品
偏置电阻晶体管
ON公司产品
低饱和电压晶体管
ON公司产品
关联场效应管
ON公司产品
JFET
ON公司产品
双极性功率晶体管
ON公司产品
达林顿晶体管
ON公司产品
大功率晶体管
ON公司产品
高频放大晶体管
ON公司产品
小信号低噪声、良好线性度电流增益晶体管
ON公司产品
射频晶体管
ON公司产品
音频晶体管
ON公司产品
齐纳二极管
齐纳二极管
ON公司产品
齐纳击穿二极管
齐纳稳压管
双齐纳管
抗雷管(TVS)
ON公司产品
单TVS 表面安装(峰值功率 1500W @ 1ms浪涌)
单TVS 表面安装(峰值功率 175W @ 1ms浪涌)
单TVS 表面安装(峰值功率 200W @ 1ms浪涌)
单TVS 表面安装(峰值功率 400W @ 1ms浪涌)
单TVS 表面安装(峰值功率 600W @ 1ms浪涌)
单TVS 轴向封装(峰值功率 1500W @ 1ms浪涌)(1)
ON公司双TVS
ON公司四TVS
ON公司五TVS
ON公司六TVS
ON公司其他TVS
单TVS 轴向封装(峰值功率 1500W @ 1ms浪涌)(2)
单TVS表面安装(峰值功率500W@1ms浪涌)
单TVS 轴向封装(峰值功率 600W @ 1ms浪涌)
半导体闸流管
硅控整流管
ON公司产品
晶闸管
双向可控硅
ON公司产品
双向可控硅
可控硅整流管
闸流管浪涌保护器
抗压管
ON公司产品
齐纳瞬态电压抑制器
其他产品
ON公司产品
可编程单结晶体管触发器
可控硅专用零电压功率控制器
EMI 滤波
通用ESD电路保护器
电感负载/延迟驱动器
高压双向触发器
混合二极管
TVS/ESD线保护
音频滤波器
大电流电压抑制器
集成功能器件
驱动器+MOSFET
ON公司产品
驱动器+MOSFET
智能热拔插IC
TI公司产品
热插拔控制器(内部FET)
热插拔控制器(外部FET)
负载保护开关
ON公司产品
过压保护器件
电感
非屏蔽功率电感
PS公司产品
PSCD系列非屏蔽低成本贴片电感(与Sumida CD系列,Vishay-Dale IDCP系列产品兼容)
PSSL系列非屏蔽大电流贴片电感(与Coil-Craft Dot系列,Vishay-Dale IDC系列产品兼容)
屏蔽功率电感
PS公司产品
PSCDS系列屏蔽贴片电感(与Sumida CDRH系列产品兼容)
PSDS系列屏蔽贴片电感(与Coil-Craft DS系列,Vishay-Dale IDSC系列产品兼容)
PSLF系列屏蔽贴片电感(与TDK SLF系列产品兼容)
晶振
CITIZEN公司产品
电解电容器
日本Rubycon YXG系列电解电容器

 

产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 极性 集电极电流Ic(max)(A) 集电极-发射极电压Vceo(min)(V) 电流增益HFE最小值(dB) 电流增益HFE最大值(dB) 最大功率PTM Max (W) 增益带宽Ft(MHz) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
2N3055 NPN 15 60 20 70 115 2.500 TO3/-65~200 ¥12.00
2N5884 PNP 25 80 20 100 200 4 TO3/-65~200 ¥21.60
BD438 PNP 4 45 85 375 36 3 Case77/-55~150 ¥2.57
BD682 PNP 4 100 750 40 1 Case77/-55~150 ¥2.57
BDW42 NPN 15 100 1000 85 4 TO220/-55~150 ¥5.32
BUH100 NPN 10 400 6 100 23 TO220/-65~150 ¥7.22
BUV21 NPN 40 200 20 60 250 8 TO3/-65~200 ¥65.00
D45H8 PNP 10 60 40 50 40 3TO220/-55~150 ¥5.32
D45H8G PNP 60 10 20 70 3 75 TO220AB/-65~150 ¥4.99
MJD31C NPN 3 100 10 15 3 3PDAK/-65~150 ¥2.00
MJD340 NPN 0.500 300 30 240 15 3PDAK/-65~150 ¥2.28
MJD45H11G PNP 8 80 40   20 40 DPAK/-55~150 ¥3.42
MJD50 NPN 1 400 30 150 15 10 3PDAK/-65~150 ¥2.76
MJE15034 NPN 4 350 100 50 30 3TO220AB/-65~150 ¥16.80
MJE15035 PNP 4 350 100 50 30 3TO220AB/-65~150 ¥16.80
MJL1302A PNP 15 200 60 175 200 30 3TO264/-65~150 ¥20.70
MJL21193 PNP 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ¥32.00
MJL21194 NPN 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ¥32.00
MJL21195 PNP 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ¥32.00
MJL21196 NPN 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ¥32.00
MJL3281A NPN 15 200 60 175 200 30 3TO264/-65~150 ¥20.70
MJL4281A NPN 15 350 80 250 230 35 3TO264/-65~150 ¥43.00
MJL4302A PNP 15 350 80 250 230 35 3TO264/-65~150 ¥44.00
NSL12AWT1 PNP 2 12 100 300 100 SOT-416/-55~150 ¥.80
NSL12TT1 PNP 2 12 100 SOT-416/-55~150 ¥.70
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 集电极-发射极嵌位电压 (关闭状态)典型值(V) 集电极电压最大值(导通状态)Vce(on)@Vge=4.0V,Ic=6.0A(V) 集电极电压最大值(导通状态)Vce(on)@Vge(V) Ic-Pulsed最大值(A) Id-cont最大值(A) 总功耗最大值Pd(W) 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
MGB15N40CLT4 400 1.600 1.900 50 15 150 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥20.00
MGB19N35CLT4 350 1.600 1.800 50 19 166 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥20.00
NGB15N41CLT4 410 1.800 2.200 50 15 107 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥17.60
NGB18N40CLBT4 430 1.600 2 50 18 115 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥17.40
NGD15N41CLT4 410 1.800 2.200 50 15 107 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥15.50
NGD18N40CLB 430 1.600 2 50 18 115 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥15.00
NGD18N40CLBT4 430 1.600 2 50 18 115 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥15.00
NGP15N41CL 410 1.800 2.200 50 15 107 TO-220/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ¥16.60
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 工作电压(V) 驱动器数 输出电流最大值(A) 传播延时(ns) 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
MC33153D 11~20 1 1 300 8SOIC/-40~105 单IGBT门驱动器 ¥14.80
MC33153P 11~20 1 1 300 8PDIP/-40~105 单IGBT门驱动器 ¥14.80
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 FET数 漏源电压(V) 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A) 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
TPS1100D 1 -15 -1.600 180 P沟道 8SOIC/-40~85 单路P沟道增强方式MOSFET ¥6.80
TPS1100DR 1 -15 -1.600 180 P沟道 8SOIC/-40~85 单路P沟道增强方式MOSFET ¥6.80
TPS1101D 1 -15 -2.300 90 P沟道 8SOIC/-40~125 单路P沟道增强方式MOSFET ¥11.70
TPS1120D 2 -15 -1.700 180 P沟道 8SOIC/-40~85 双路P沟道增强方式MOSFET ¥10.50
TPS1120DR 2 -15 -1.700 180 P沟道 8SOIC/-40~85 双路P沟道增强方式MOSFET ¥13.40
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 源漏极间雪崩电压V(BR)DSS(V) 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ) 最大漏极电流Id(on)(A) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
2N7000RLRAG 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥.85
BS107AG 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥1.24
BS108ZL1G 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥1.24
BS170G 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥1.20
BSS123LT1G 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ¥.60
BSS138LT1G 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ¥.60
BSS84LT1G 50 5000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管 ¥.60
MGSF1N02LT1G 20 130 0.750 N沟道 SOT-223/-55~150 0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥1.00
MGSF1N03LT1G 30 145 2.100 N沟道 SOT-223/-55~150 2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥1.60
MGSF2N02ELT1G 20 115 2.800 N沟道 SOT-223/-55~150 2.8A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥1.00
MMBF0201NLT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥1.20
MMBF170LT1G 60 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥.60
MMBF170LT3G 60 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥.60
MMBF2201NT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥1.10
MMBF2202PT1G 20 3.500 0.300 P沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,P沟道功率MOSFET ¥1.10
MMDF2C03HDR2G 30 70/200 4.100 N/P沟道 SO-8/-55~150 2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET ¥5.88
MMDF2N02ER2G 25 100 3.600 N/N沟道 SO-8/-55~150 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ¥6.30
MMDF2P02HDR2G 20 160 3.600 P/P沟道 SO-8/-55~150 2A,20V,SO-8,P沟道功率双MOSFET ¥5.90
MMDF3N02HDR2G 20 90 3.800 N/N沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ¥6.00
MMDF3N04HDR2G 40 80 3.400 N/N沟道 SO-8/-55~150 3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ¥5.90
MMFT960T1G 60 1.700 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ¥2.70
MMSF3P02HDR2G 20 95 5.600 P沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,P沟道功率MOSFET ¥5.90
MMSF7P03HDR2G 30 35 7 P沟道 SO-8/-55~150 7A,30V,SO-8,P沟道功率MOSFET ¥5.80
MTB30P06VT4G 60 67 30 P沟道 3D2PAK/-65~175 30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET ¥11.50
MTB50P03HDLT4G 30 25 50 P沟道 3D2PAK/-65~175 50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET ¥20.00
MTD5P06VT4G 60 450 5 P沟道 3DPAK/-65~175 5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET ¥3.15
MTP12P10G 100 300 12 P沟道 TO-220AB/-65~150 12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET ¥10.60
MTP23P06VG 60 120 23 P沟道 TO-220AB/-65~150 23A,60V,TO220,P沟道功率MOSFET ¥8.70
MTP2P50EG 500 6000 2 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管 ¥13.00
MTP50P03HDLG 30 25 50 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管 ¥18.50
MTW32N20EG 200 75 32 N沟道 TO-247/-55~150 小信号N沟道TO-247封装场效应管 ¥37.90
NID5001NT4G 42 29 33 N沟道 DPAK/-55~175 自保护FET带过温和过流限制 ¥5.90
NID5003NT4G 42 50 20 N沟道 DPAK 4/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42V,20A ¥3.85
NID6002NT4G 60 210 6.500 N沟道 DPAK 4/-55~150 65 V, 6.5 A, 带过温和过流保护,N沟道FET 暂无
NID9N05CLT4G 55 181 N沟道 DPAK/-55~175 9 A, 52带ESD保护功率MOSFET ¥2.00
NIF5002NT1G 42 200 3 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V, 2.0 A, ¥2.20
NIF5003NT1G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A ¥4.40
NIF5003NT3G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A ¥3.80
NIF62514T1G 42 100 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制,电压钳位 ¥3.50
NTA4001NT1G 20(min) 1500 0.238 N沟道 SC-75 /-55 ~150 小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护 ¥1.10
NTA4151PT1G 20(min) 360 0.760 P沟道 SC-75/-55 ~150 小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护 ¥1.30
NTA4153NT1G 26(min) 9500 0.915 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护 ¥1.20
NTA7002NT1G 30(min) 2000 0.154 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护 ¥.50
NTB125N02RT4G 24(min) 4.600 125 N沟道 D2PAK 3/-55 ~150 125 A, 24 V 功率MOSFET ¥7.45
NTB25P06G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET ¥7.25
NTB25P06T4G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET ¥7.25
NTB30N06G 60 42 27 N沟道 D2PAK /-55 ~150 30 A, 60 V 功率MOSFET ¥4.68
NTB30N20T4G 200 81 30 N沟道 D2PAK/-55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET ¥17.80
NTB35N15T4G 150 50 37 N沟道 D2PAK/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET ¥15.70
NTB4302T4G 30 9.300 74 N沟道 D2PAK/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET ¥6.30
NTB45N06T4G 40 26 45 N沟道 D2PAK/-55 ~150 45 A, 60 V功率MOSFET ¥7.50
NTB52N10T4G 100 30 52 N沟道 D2PAK/-55 ~150 52 A, 100 V功率MOSFET ¥15.00
NTB5605PG 60 140 18.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 - 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET ¥5.54
NTB60N06T4G 60 14 60 N沟道 D2PAK/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ¥10.98
NTB65N02RT4G 24 10.500 65 N沟道 D2PAK/-55 ~150 24V, 65 A功率MOSFET ¥3.90
NTB75N06T4G 60 9.500 75 N沟道 D2PAK/-55 ~150 75 A, 60 V功率MOSFET ¥17.60
NTB85N03T4G 28 6.100 85 N沟道 D2PAK/-55~150 85A,28V功率MOSFET 暂无
NTD110N02R-001G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET ¥6.25
NTD110N02RG 24 3.700 110 N沟道 DPAK/-55~150 110A,24V功率MOSFET 暂无
NTD110N02RT4G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET ¥6.25
NTD12N10T4G 100 165 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 100 V功率MOSFET ¥3.79
NTD18N06-1G 60 60 18 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET ¥3.76
NTD18N06LT4G 60 60 18 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET ¥3.76
NTD20N03L27T4G 30 27 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 30 V功率MOSFET ¥4.10
NTD20N06LT4G 60 48 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET ¥4.10
NTD20N06T4G 60 46 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET ¥4.10
NTD20P06LT4G 60 150 15.500 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -15.5 A功率MOSFET ¥4.30
NTD24N06LT4G 60 45 24 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 A, 60 V功率MOSFET ¥4.80
NTD24N06T4G 60 42 24 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 A, 60 V功率MOSFET ¥4.80
NTD25P03LT4G 30 72 25 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -25 A, -30 V功率MOSFET ¥4.50
NTD2955T4G 60 180 12 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -12 A功率MOSFET ¥3.05
NTD3055-150-1G 60 150 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET ¥2.20
NTD3055-150T4G 60 150 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET ¥2.20
NTD3055L104T4G 60 104 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 60 V功率MOSFET ¥2.50
NTD3055L170T4G 60 170 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 9.0 A, 60 V功率MOSFET ¥2.35
NTD32N06LT4G 60 28 32 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 32 A, 60 V功率MOSFET ¥5.70
NTD32N06T4G 60 26 32 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 32 A, 60 V功率MOSFET ¥5.70
NTD40N03R-1G 25 16.500 45 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 45A, 25V功率MOSFET ¥2.70
NTD40N03RT4G 25 16.500 45 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 45A, 25V功率MOSFET ¥2.70
NTD4302T4G 30 10 68 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 68A, 30V功率MOSFET ¥5.88
NTD4813NT4G 30 13 40 N沟道 DPAK 4/-55~175 40A,30V,,N沟道功率MOSFET 暂无
NTD60N02RT4G 25 10.500 62 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 62A, 25V功率MOSFET ¥3.79
NTD70N03RT4G 25 8 72 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 70-75 A, 25V功率MOSFET ¥4.00
NTD85N02RT4G 24 5.200 85 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 85 A, 24 V,功率MOSFET ¥4.32
NTD95N02RT4G 24 5 95 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 95A, 24 V,功率MOSFET ¥5.00
NTE4151PT1G 20 360 0.760 P沟道 SC-89/-55 ~150 -20 V, -760 mA,功率MOSFET ¥.80
NTF2955T1G 60 170 2.600 P沟道 SOT-223/-55 ~150 -60 V, -2.6 A,功率MOSFET ¥3.50
NTF3055-100T1G 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ¥2.25
NTF3055-100T3G 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ¥2.25
NTF3055L108T1G 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ¥2.10
NTF3055L108T3G 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ¥2.25
NTF3055L108T3LFG 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET ¥2.25
NTF3055L175T1G 60 175 2 N沟道 SOT-223/-55 ~150 2 A, 60 V功率MOSFET ¥1.89
NTF5P03T3G 30 100 5 P沟道 SOT-223/-55 ~150 5.2 A, 30 V功率MOSFET ¥2.80
NTF6P02T3G 20 50 6 P沟道 SOT-223/-55 ~150 -20 V, -6.0A功率MOSFET ¥3.20
NTGD1100LT1G 8 55 3.300 P沟道 TSOP6/-55~150 8V,3.3A P沟道MOSFET ¥1.50
NTGS3441T1G 20 90 2.350 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 1 A, 20 V功率MOSFET ¥1.60
NTGS3443T1G 20 65 2 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 2A, 20 V功率MOSFET ¥1.60
NTGS3446T1G 20 45 5.100 N沟道 TSOP-6/-55 ~150 5.1A, 20 V功率MOSFET ¥1.79
NTGS3455T1G 30 100 3.500 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -3.5A,-30 V功率MOSFET ¥1.79
NTGS4111PT1G 30 60 4.700 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -30 V, -4.7A功率MOSFET ¥1.90
NTHC5513T1G 20 80 3.900 N/P沟道 ChipFET/-55~150 20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET ¥2.35
NTHD3100CT1G 20 80 3.900 N/P沟道 ChipFET /-55~150 20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET ¥3.00
NTHD3101FT1G 20 80 4.400 P沟道 ChipFET /-55~150 -20 V, -4.4 A功率MOSFET ¥3.00
NTHD4508NT1G 20 75 4 N沟道 ChipFET /-55~150 20 V, 4.1 A功率MOSFET ¥2.80
NTHD4P02FT1G 20 155 3 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -3.0 A,功率MOSFET ¥3.20
NTHS2101PT1G 8 25 7.500 P沟道 ChipFET/-55~150 -8 V, -7.5 A功率MOSFET ¥2.70
NTHS4101PT1G 20 34 6.700 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -6.7 A,功率MOSFET ¥2.70
NTHS4501NT1G 30 38 6.700 N沟道 ChipFET /-55~150 30 V, 6.7 A功率MOSFET ¥2.80
NTHS5404T1G 20 30 7.200 N沟道 ChipFET/-55~150 20V, 7.2A,功率MOSFET ¥3.00
NTHS5441T1G 20 60 5.300 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -5.3 A功率MOSFET ¥2.50
NTHS5443T1G 20 65 4.900 P沟道 ChipFET/-55~150 -20V, -4.9 A功率MOSFET ¥2.50
NTJD1155LT1G 8 175 1.300 P沟道 SOT-363/-55 ~150 8 V, ± 1.3 A功率MOSFET ¥1.90
NTJD2152PT1G 8 300 0.775 P沟道 SOT-363/-55 ~150 8V双功率MOSFET带ESD保护 ¥1.89
NTJD4105CT1G 20 200 0.775 N/P沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20V/-8V ,+0.63A/-0.775A MOSFET ¥1.90
NTJD4152PT1G 20 215 0.880 P沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20 V, 0.88 A双P沟道 MOSFET ¥1.40
NTJD4401NT1G 20 375 0.630 N沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20 V,双N沟道 MOSFET ¥1.59
NTJS3151PT1G 12 60 3.300 P沟道 SOT-363/-55 ~150 12 V, 3.3 A, 功率MOSFET ¥1.49
NTJS4151PT1G 20 60 4.200 P沟道 SOT-363/-55 ~150 -20 V, -4.2 A功率MOSFET ¥1.44
NTLTD7900ZR2G 20 26 9 N沟道 MICRO-8/-55 ~150 20 V, 9A功率MOSFET ¥4.00
NTMD2C02R2G 20 43 5.200 N/P沟道 SOIC-8/-55 ~150 2 A, 20 V,功率MOSFET ¥4.30
NTMD3P03R2G 30 85 3.050 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -3.05 A, -30 V功率MOSFET ¥3.95
NTMD6N02R2G 20 35 6.500 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 6.0 A, 20v功率MOSFET ¥3.50
NTMD6N03R2G 30 32 6 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 6 A,功率MOSFET ¥4.30
NTMD6P02R2G -20 33 -7.800 P沟道 SOIC8/-55~155 -20 V, -7.8 A功率MOSFET 暂无
NTMFS4120NT1G 30 4.500 31 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 31 A,功率MOSFET ¥7.50
NTMFS4121NT1G 30 5.250 29 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 29 A,功率MOSFET ¥6.50
NTMFS4122NT1G 30 6 23 N沟道 So-8FL /-55 ~150 30 V, 23 A,功率MOSFET ¥6.00
NTMFS4709NT1G 30 3.600 94 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 94 A,功率MOSFET ¥7.50
NTMS10P02R2G 20 14 1.600 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 20 V, 10 A功率MOSFET ¥6.90
NTMS4107NR2G 30 3.400 1.800 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 18 A功率MOSFET ¥7.00
NTMS4503NR2G 28 7 14 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 28 V, 14 A,功率MOSFET ¥4.90
NTMS4704NR2G 30 9.500 12.300 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 12.3 A, 功率MOSFET ¥4.50
NTMS4705NR2G 30 10 12 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 12 A 功率MOSFET ¥5.00
NTMS5P02R2G 20 33 5.400 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -20 V, -5.4 A, 功率MOSFET ¥3.50
NTMS7N03R2G 30 23 7 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 7 A, 30 V 功率MOSFET ¥3.90
NTMSD3P102R2G 20 85 3 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 增强型功率MOSFET集成肖特基二极管 ¥4.50
NTP125N02RG 24 4.600 125 N沟道 TO-220/?55 ~150 125 A, 24 V功率MOSFET ¥7.80
NTP18N06G 60 90 15 N沟道 TO-220/-55 ~150 15 A, 60 V功率MOSFET ¥3.35
NTP18N06LG 60 100 15 N沟道 TO-220/-55 ~150 15 A, 60 V功率MOSFET ¥3.35
NTP27N06G 60 46 27 N沟道 TO-220/-55 ~150 27 A, 60 V功率MOSFET ¥5.35
NTP2955G 60 196 12 P沟道 TO-220/-55 ~150 -60 V, -12 A功率MOSFET ¥4.90
NTP30N06LG 60 46 30 N沟道 TO-220/?55 ~150 30 A, 60 V功率MOSFET ¥6.30
NTP30N20G 200 81 30 N沟道 TO-220/?55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET ¥16.00
NTP35N15G 150 50 37 N沟道 TO-220/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET ¥17.60
NTP4302G 30 9.300 74 N沟道 TO-220/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET ¥5.30
NTP45N06G 60 26 45 N沟道 TO-220AB/-55~175 45A,60V功率MOSFET ¥7.20
NTP52N10G 100 30 60 N沟道 TO-220/?55 ~150 60 A, 100 V功率MOSFET ¥18.00
NTP60N06G 60 14 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ¥11.76
NTP60N06LG 60 16 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ¥12.00
NTP75N03-6G 30 5.3@10V 75 N沟道 3TO220AB/-55~150 75A,30V功率MOSFET 暂无
NTP75N03L09G 30 8 75 N沟道 TO-220/-55 ~150 75 A, 30v功率MOSFET ¥12.90
NTP75N06G 60 9.500 75 N沟道 TO-220/-55 ~150 75 A 60v 功率MOSFET ¥13.40
NTP90N02G 24 5.800 90 N沟道 TO-220/-55 ~150 90 A, 24 V功率MOSFET ¥6.50
NTQD6866R2G 20 30 6.900 N沟道 TSSOP8 /-55 ~150 6.9 A, 20 V功率MOSFET ¥4.90
NTQD6968NR2G 20 22 7 N沟道 TSSOP8 /-55 ~150 7.0 A, 20 V双功率MOSFET ¥4.30
NTR0202PLT1G 20 800 0.400 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -400 mA,双功率MOSFET ¥1.20
NTR1P02LT1G 20 220 1.300 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -1.3 A,双功率MOSFET ¥1.39
NTR1P02T1G 20 180 1 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -1 A,双功率MOSFET ¥1.39
NTR2101PT1G 8 52 3.700 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -8 V, -3.7 A,双功率MOSFET ¥1.59
NTR4101PT1G 20 8.500 3.200 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -3.2 A,双功率MOSFET ¥1.30
NTR4501NT1G 20 80 3.200 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 20 V, 3.2 A双功率MOSFET ¥1.30
NTR4502PT1G 30 200 1.950 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -30V, -1.95 A,双功率MOSFET ¥1.30
NTR4503NT1G 30 140 2.500 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 30 V, 2.5 A,双功率MOSFET ¥1.30
NTS2101PT1G 8 100 1.400 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -8 V, -1.4 A,双功率MOSFET ¥1.49
NTS4001NT1G 30 1500 0.270 N沟道 SC-70 /-55 ~150 30V, 270 mA,双功率MOSFET ¥1.49
NTS4101PT1G 20 120 1.370 P沟道 SC-70 /-55 ~150 -20 V, -1.37 A,双功率MOSFET ¥1.25
NTTD4401FR2G 20 90 3.300 P沟道 SC-70 /-55 ~150 -20 V, -3.3 A双功率MOSFET ¥2.90
NTTS2P02R2G 20 90 3.250 P沟道 Micro8/-55 ~150 -2.4 A, -20 V 双功率MOSFET ¥3.00
NTTS2P03R2G 30 135 2.480 P沟道 Micro8/-55 ~150 -2.48 A, -30 V功率MOSFET ¥3.50
NTY100N10G 100 11 100 N沟道 TO-264/-55 ~150 100 V, 123 A,双功率MOSFET ¥79.00
NTZD3152PT1G 20 900 0.430 P沟道 SOT-563/-55 ~150 -20 V, -430 mA 双功率MOSFET ¥1.50
NTZD3154NT1G 20 550 0.570 N沟道 6SOT-563/-55~150 20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护 暂无
NTZD3155CT1G 20 400 0.540 N/P沟道 SOT-563/-55 ~150 20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护 ¥1.20
NTZS3151PT1G 20 150 0.950 P沟道 SOT-563/-55 ~150 -20 V, -950 mA 双功率MOSFET带ESD保护 ¥1.20
NUD3112LT1G 14 1300 0.500 N沟道 SOT-23/-40~85 感应负载驱动器 ¥1.40
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V) 过压保护 过流保护 过热保护 ESD 总功耗Pd(W) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
MLD1N06CLT4G 0.750 Yes Yes No Yes 40 3DPAK/-50~150 ¥4.20
MLD2N06CLT4G 0.400 Yes Yes No Yes 40 3DPAK/-50~150 ¥3.80
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 源漏极间雪崩电压VBR(V) 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ) 最大漏极电流Id(on)(A) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
2N7000RLRM 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥.80
2N7002LT1 60 7500 0.120 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ¥.30
BS107A 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥1.65
BS108ZL1 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥1.65
BS170 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ¥1.14
BSS123LT1 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ¥.53
BSS138LT1 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ¥.55
BSS84LT1 50 10000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管 ¥.57

 

产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 反向重复峰值电压VRRM(max)(V) 平均整流器前向电流IO(max)(A) 瞬间前向电压VF(max)@IF(V) 非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A) 瞬间反转电流IR(max)(mA) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
1N5817G 20 1 0.450 25 1 DO41/-65~125 ¥.80
1N5818G 30 1 0.550 25 1 DO41/-65~125 ¥.80
1N5819RLG 40 1 0.600 25 1 DO41/-65~125 ¥.90
1N5822RLG 40 3 0.530 80 2 DO201AD/-65~125 ¥1.50
80SQ045NRLG 45 8 0.550 140 1 DO201AD/-65~125 ¥2.90
MBD101G 7 0.600 0.250 TO92/-65~125 ¥.70
MBD330DWT1G 30 0.400 0.200 SOT-363/-65~125 ¥.80
MBD54DWT1G 30 0.320 2 SOT-363/-65~125 ¥.80
MBR0520LT1 20 0.500 0.310 @ 0.1 A 5 5 @ 10 V 2SOD123/-65~125 ¥.63
MBR0520LT1G 20 0.500 0.385@0.5A 5 0.25@20V 2SOD123/125(max) ¥.70
MBR0530T1 30 0.500 0.375 @ 0.1 A 5 2SOD123/-65~125 ¥.63
MBR0530T1G 30 0.500 0.430@0.5A 5 0.13@30V 2SOD123/125(max) ¥.70
MBR0540T1 40 0.500 0.53 @ 0.5 A 5 2SOD123/-55~150 ¥.63
MBR0540T1G 40 0.500 0.53@0.5A 5 0.20@40V 2SOD123/150(max) ¥.70
MBR10100 100 10 0.80 @ 10 A 150 6 @ 125°C 3TO220AC/-65~150 ¥5.34
MBR10100G 100 10 0.85@10A 150 0.100 TO-220/150(max) ¥5.00
MBR1045 45 10 0.84 @ 20 A 150 15 @ 125°C 3TO220AC/-65~150 ¥3.79
MBR1060G 60 10 0.80@10A 150 0.100 TO-220/150(max) ¥3.60
MBR10H100CTG 100 5 0.850 180 3.5uA TO-220/-65~175 ¥5.80
MBR1100G 100 1 0.79@1A 50 5 DO41/150(max) 暂无
MBR1100RL 100 1 0.79 @ 1.0 A 50 5 DO41/-65~150 ¥1.24
MBR1100RLG 100 1 0.79@1A 50 0.500 DIODE41/150(max) ¥1.25
MBR120ESFT1 20 1 0.53@1.0A 40 1.6@100℃ 2SOD123/-65~150 ¥.95
MBR120ESFT1G 20 1 0.53@1A 40 0.010 SOD123/150(max) ¥.99
MBR120LSFT1 20 1 0.45@1.0A 50 25@85℃ 2SOD123/-65~150 ¥.95
MBR120LSFT1G 20 1 0.45@1A 40 0.400 SOD123/150(max) ¥.99
MBR120VLSFT1 20 1 0.34@1.0A 45 15@85℃ 2SOD123FL/-65~150 ¥1.30
MBR120VLSFT1G 20 1 0.34@1A 40 0.600 SOD123/125(max) ¥1.00
MBR130LSFT1G 30 1 0.41@1A 25 1 SMA/125(max) ¥.99
MBR130T1G 30 1 0.41@1A 25 1 SMA/125(max) ¥.99
MBR140SFT1 40 1 0.55@1.0A 30 25@85℃ 2SOD123FL/-55~125 ¥.95
MBR140SFT1G 40 1 0.55@1A 30 0.500 SOD/125(max) ¥.99
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MBRB1545CTG 15 45 0.84@15A 150 0.100 D2PAK/150(MAX) ¥4.99
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MR856G 600 3 1.25@3.0A 100 0.010 CASE267-05/-65~125 ¥.80
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MSR1560 600 15 1.8@15A 100 5 TO-220AC/-65~150 ¥6.60
MSR1560G 600 15 1.8@15A 100 5 TO-220AC/-65~150 ¥5.88
MSR860G 600 8 1.7@15A 100 1 TO-220AC/-65~150 ¥5.35
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RB521S30T1G 30 30 0.500 1 - SOD 523/-55~125 ¥.30
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